MOSFET canal N Toshiba 300 mA 60 V, 6 broches, US6
- Code commande RS:
- 236-3582
- Référence fabricant:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Marque:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,08 € | 16,00 € |
| 400 - 600 | 0,078 € | 15,60 € |
| 800 - 1000 | 0,077 € | 15,40 € |
| 1200 - 2800 | 0,072 € | 14,40 € |
| 3000 + | 0,065 € | 13,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3582
- Référence fabricant:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | US6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2mΩ | |
| Tension directe Vf | -0.79V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.1mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier US6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2mΩ | ||
Tension directe Vf -0.79V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.1mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation haute vitesse.
Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.
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