Références fabricant

MOSFET 2 canal N Double Toshiba 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, US AEC-Q101

Code commande RS:: 171-2410
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU
Marque:: Toshiba

MOSFET 2 canal N Double Toshiba 300 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, US AEC-Q101

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 171-2410
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	300mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	US
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.75Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	150°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.39nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	-0.79V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Double
	Hauteur	900μm
	Longueur	2mm
	Largeur	1.25mm
	Normes/homologations	No
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 300mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier US
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.75Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen 150°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.39nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf -0.79V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Double
	Hauteur 900μm
	Longueur 2mm
	Largeur 1.25mm
	Normes/homologations No
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: TH

Commutation haute vitesse

Faible résistance de drain-source

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@ VGS = 5 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

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