MOSFET Infineon canal N, PQFN 2 x 2 44 A 30 V, 6 broches

Le MOSFET de puissance Infineon OptiMOS™ 5 30 V, 3,6 mΩ, le plus petit facteur de forme en boîtier PQFN 2 x 2. Avec la nouvelle famille de produits BIC OptiMOS™ 5 en 25 V et 30 V, Infineon offre une solution "Meilleure de sa catégorie" pour l'efficacité dans un petit facteur de forme, ce qui en fait la solution parfaite pour des applications telles que la charge sans fil, les commutateurs de charge et les applications DCDC à faible puissance. Le petit boîtier PQFN 2 x 2 de 4 mm² d'empreinte, associé à des performances électriques exceptionnelles, contribue à l'amélioration du facteur de forme dans les applications finales, avec un faible RDS on de 3,6 mΩ.

Optimisé pour des performances et une densité de puissance maximales
Testé à 100% en avalanche
Résistance thermique supérieure pour un boîtier 2 x 2
Canal N
Placage plombé sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme IEC61249-2-21