MOSFET canal N Infineon 280 A 30 V, 8 broches, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
258-3972
Référence fabricant:
IRFH8303TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

280A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1V

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

58nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

6mm

Hauteur

900μm

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance Infineon StrongIRFET est optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Diode de corps plus souple par rapport à la génération précédente de silicium

Large portefeuille disponible

Densité de puissance accrue

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