MOSFET canal N Infineon 21 A 30 V, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-9389
Référence fabricant:
IRFHM830TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

21A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

15mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Dissipation de puissance maximum Pd

37W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRFHM d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 30 V dans un boîtier PQFN 3,3 x 3,3. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier à montage en surface standard

Alternative potentielle au boîtier Super SO 8 à RDS élevé (marche)

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