MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V N, 7 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 242-5816
- Référence fabricant:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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2 544,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,544 € | 2 544,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 242-5816
- Référence fabricant:
- IPB017N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série iPB, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 273 A - IPB017N10N5ATMA1
Ce MOSFET est un dispositif de commutation à canal N à courant élevé conçu pour les applications d'alimentation à montage en surface. Il fonctionne sur une large plage de températures et est destiné aux environnements industriels et de conversion d'énergie exigeants où une gestion robuste du courant et une résistance thermique sont nécessaires.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant offre des pertes de conduction minimales et un rendement amélioré
• Le courant de drain continu élevé permet un fonctionnement prolongé à charge lourde
• La valeur nominale de drain de 100 V prend en charge les topologies courantes à tension intermédiaire
• La dissipation de puissance de 81 W permet un débit de puissance plus élevé dans des boîtiers compacts
• La charge de grille typique de 80 nC prend en charge la commutation réactive dans les convertisseurs
• La valeur nominale de grille de 20 V permet une large flexibilité de la tension de l'entraînement de grille
• Le courant de drain continu élevé permet un fonctionnement prolongé à charge lourde
• La valeur nominale de drain de 100 V prend en charge les topologies courantes à tension intermédiaire
• La dissipation de puissance de 81 W permet un débit de puissance plus élevé dans des boîtiers compacts
• La charge de grille typique de 80 nC prend en charge la commutation réactive dans les convertisseurs
• La valeur nominale de grille de 20 V permet une large flexibilité de la tension de l'entraînement de grille
Applications
• Convient aux convertisseurs de puissance c.c.-c.c. à courant élevé
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec les étages demi-pont à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les rails d'alimentation des serveurs et des télécommunications
• Convient aux systèmes de gestion des batteries et d'onduleurs
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec les étages demi-pont à entraînement motorisé
• Peut être utilisé pour les rails d'alimentation des serveurs et des télécommunications
• Convient aux systèmes de gestion des batteries et d'onduleurs
Quelles extrêmes thermiques ce dispositif peut-il supporter?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 175 °C pour répondre aux exigences d'une large plage de températures industrielles.
Comment le type de boîtier influe-t-il sur le montage et la gestion de la chaleur?
Le format à montage en surface TO-263 permet un montage direct sur circuit imprimé avec des chemins à faible résistance thermique pour les dispositifs de dissipation thermique.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille à observer pour les performances de commutation?
Avec une charge de grille typique de 80 nC et une valeur nominale de grille maximale de 20 V, les drivers de grille doivent fournir un courant suffisant tout en respectant la limite Vgs pour obtenir des transitions rapides.
Quelles sont les caractéristiques des canaux qui affectent les pertes de conduction et de commutation?
Le dispositif utilise une architecture à canal N avec une très faible résistance drain-source qui réduit les pertes de conduction tout en maintenant une capacité de courant élevée.
Ce dispositif est-il destiné à la qualification automobile?
La pièce n'est pas classée comme conforme aux normes automobiles, mais répond aux exigences environnementales RoHS.
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