MOSFET P Infineon -3.70 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 ISP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 243-9276
- Référence fabricant:
- ISP650P06NMXTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,538 € | 538,00 € |
| 2000 + | 0,511 € | 511,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 243-9276
- Référence fabricant:
- ISP650P06NMXTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -3.70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | ISP | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -3.70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série ISP | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série ISP, tension drain-source maximale de 60 V, dissipation de puissance maximale de 81 W - ISP650P06NMXTSA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal P conçu pour la commutation de puissance montée en surface dans des environnements à température exigeante. Il fonctionne sur une large plage thermique et est fourni dans un boîtier SOT‐223 compact adapté aux assemblages nécessitant un encombrement de manipulation de puissance traversante tout en conservant une surface de carte.
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 65 mΩ réduit les pertes de conduction pour un transfert de puissance efficace
• Le courant de drain continu de -3,70 A prend en charge le fonctionnement à charge statique
• La charge de grille typique de 80 nC permet une dynamique de commutation contrôlée
• La valeur nominale de drain‐source de 60 V permet des applications de commutation à tension plus élevée
• La dissipation de puissance de 81 W gère l'énergie thermique dans des boîtiers compacts
• Le courant de drain continu de -3,70 A prend en charge le fonctionnement à charge statique
• La charge de grille typique de 80 nC permet une dynamique de commutation contrôlée
• La valeur nominale de drain‐source de 60 V permet des applications de commutation à tension plus élevée
• La dissipation de puissance de 81 W gère l'énergie thermique dans des boîtiers compacts
Applications
• Convient aux modules de commande automobiles nécessitant une résistance aux températures
• Idéal pour les rails d'alimentation dans l'électronique de commande industrielle
• Utilisé pour la commutation de charge dans les systèmes de gestion de batterie
• Peut être utilisé pour les circuits de commutation à polarité inversée et high-side
• Idéal pour les rails d'alimentation dans l'électronique de commande industrielle
• Utilisé pour la commutation de charge dans les systèmes de gestion de batterie
• Peut être utilisé pour les circuits de commutation à polarité inversée et high-side
À quelles températures ambiantes peut-il fonctionner?
Il fonctionne sur une large plage de -55 à +150 °C, ce qui permet une utilisation dans des conditions thermiques difficiles.
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier SOT‐223 conçu pour le montage en surface sur les cartes de circuits imprimés.
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter?
La valeur nominale maximale de la porte à la source est de 20 V et ne doit pas être dépassée pour éviter les dommages.
Est-il adapté aux applications de qualité automobile?
Il est conforme à la norme AEC-Q101, prenant en charge la qualification pour les implémentations électroniques automobiles.
Est-il conforme aux restrictions en matière de substances environnementales?
Il est conforme à la directive RoHS et respecte les restrictions sur certains matériaux dangereux.
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