MOSFET canal N ROHM 10.3 A 0.9 V N, ESM RYM002N05

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Code commande RS:
244-0122
Référence fabricant:
RYM002N05T2CL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.3A

Tension Drain Source maximum Vds

0.9V

Type de Boitier

ESM

Série

RYM002N05

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

N

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET Rohm sont fabriqués en résistance à l'état passant ultra-faible par les technologies de microtraitement adaptées pour l'équipement mobile pour une faible consommation de courant. Dans une large gamme, y compris le type compact, le type haute puissance et le type complexe à répondre sur le marché, et il est fourni avec un lot de 8 000 unités.

Type d'entraînement basse tension (0,9 V)

Transistor MOSFET à petit signal à canal N

Boîtier de montage en surface compact

Sans plomb/conforme RoHS

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