MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6889
- Référence fabricant:
- DMT68M8LSS-13
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,279 € | 697,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6889
- Référence fabricant:
- DMT68M8LSS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.45mm | |
| Largeur | 3.85mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.45mm | ||
Largeur 3.85mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale drain-source est de 60 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.
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