MOSFET canal N ROHM 10.7 A 30 V Enrichissement, 7 broches, HEML1616L7 RW4E065GN

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Code commande RS:
249-1135
Référence fabricant:
RW4E065GNTCL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

RW4E065GN

Type de Boitier

HEML1616L7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N Rohm avec faible résistance à l'état passant et commutation rapide, adapté pour l'application de commutation, est doté d'une tension source de drain de 30 V et d'un courant de drain de 6,5 A, avec un type d'emballage à ruban.

Faible résistance à l'état passant

Placage compatible sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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