MOSFET canal N ROHM 10.7 A 30 V Enrichissement, 7 broches, HEML1616L7 RW4E065GN

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Code commande RS:
249-1136
Référence fabricant:
RW4E065GNTCL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

HEML1616L7

Série

RW4E065GN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.3nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N Rohm avec faible résistance à l'état passant et commutation rapide, adapté pour l'application de commutation, est doté d'une tension source de drain de 30 V et d'un courant de drain de 6,5 A, avec un type d'emballage à ruban.

Faible résistance à l'état passant

Placage compatible sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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