MOSFET canal N Infineon 143 A 150 V Enrichissement, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101

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249-3354
Référence fabricant:
IPT054N15N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

143A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

HSOF-8

Série

IPT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor mosfet de puissance Infineon Optimos 5 est un transistor mosfet à canal N qui offre une très faible résistance à l'état passant et une résistance thermique supérieure. Ce dispositif est sans plomb (plomb) et sans halogène. Il est fourni dans un boîtier PG-HSOF-8 à montage en surface.

La tension Vds (drain vers source) est de 150 V

Rds (max. en marche) est de 5,4 milli-ohms et Id est de 143 A

Qdss et les valeurs de Qg sont respectivement de 155 nC et 55 nC

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