MOSFET canal N Infineon 122 A 150 V Enrichissement, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101

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249-3356
Référence fabricant:
IPT063N15N5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

122A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

HSOF-8

Série

IPT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor mosfet de puissance Infineon Optimos 5 est un transistor mosfet à canal N qui offre une très faible résistance à l'état passant et une résistance thermique supérieure. Ce dispositif est sans plomb (plomb) et sans halogène. Il est fourni dans un boîtier PG-HSOF-8 à montage en surface.

La tension Vds (drain vers source) est de 150 V

Rds (max. en marche) est de 6,3 milli-ohms et Id est de 122 A

Les valeurs Qdss et Qg sont respectivement de 131 nC et 47 nC

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