MOSFET canal N Infineon 400 A 40 V, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 244-0908
- Référence fabricant:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
7 968,00 €
HT
9 562,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,984 € | 7 968,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-0908
- Référence fabricant:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 400A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 400A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'IPT60R040S7 d'Infineon offre les meilleures performances pour les applications de commutation basse fréquence. Le CoolMOSTMS7 offre les plus basses valeurs de Rdson pour un transistor MOSFET SJ HV, avec une augmentation distinctive de l'efficacité énergétique.
La technologie CoolMOSTM S7 permet un RDS(on) de 22 mΩ dans le plus petit encombrement
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