MOSFET canal N Infineon 400 A 40 V, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 244-0909
- Référence fabricant:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 244-0909
- Référence fabricant:
- IPT60R040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 400A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 400A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'IPT60R040S7 d'Infineon offre les meilleures performances pour les applications de commutation basse fréquence. Le CoolMOSTMS7 offre les plus basses valeurs de Rdson pour un transistor MOSFET SJ HV, avec une augmentation distinctive de l'efficacité énergétique.
La technologie CoolMOSTM S7 permet un RDS(on) de 22 mΩ dans le plus petit encombrement
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