MOSFET canal N Infineon 122 A 150 V Enrichissement, 8 broches, HSOF-8 IPT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 249-3355
- Référence fabricant:
- IPT063N15N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
4 288,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,144 € | 4 288,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 249-3355
- Référence fabricant:
- IPT063N15N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 122A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 122A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor mosfet de puissance Infineon Optimos 5 est un transistor mosfet à canal N qui offre une très faible résistance à l'état passant et une résistance thermique supérieure. Ce dispositif est sans plomb (plomb) et sans halogène. Il est fourni dans un boîtier PG-HSOF-8 à montage en surface.
La tension Vds (drain vers source) est de 150 V
Rds (max. en marche) est de 6,3 milli-ohms et Id est de 122 A
Les valeurs Qdss et Qg sont respectivement de 131 nC et 47 nC
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