MOSFET canal N DiodesZetex 26 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
254-8652
Référence fabricant:
DMTH10H032LFVWQ-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

26A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerDI3333-8

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

800μm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration DiodeZetex a été conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il est certifié AEC-Q101, pris en charge par un PPAP, et est idéal pour l'utilisation dans le rétroéclairage, les convertisseurs c.c.-c.c. et les fonctions de gestion de l'alimentation

Faible résistance à l'état passant, flanc de table mouillé pour une inspection optique améliorée Faibles pertes de commutation sans halogène ni antimoine

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