MOSFET canal N Infineon 90 A 2.2 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9288
- Référence fabricant:
- IRF40R207
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,746 € | 7,46 € |
| 100 - 240 | 0,71 € | 7,10 € |
| 250 - 490 | 0,678 € | 6,78 € |
| 500 - 990 | 0,649 € | 6,49 € |
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- Code commande RS:
- 257-9288
- Référence fabricant:
- IRF40R207
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 2.2V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.5mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 2.2V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 40 V dans un boîtier DPAK. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier à montage en surface standard
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
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