MOSFET canal N Infineon -3.4 A -40 V, 6 broches, TSOP-6 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9292
- Référence fabricant:
- IRF5803TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 257-9292
- Référence fabricant:
- IRF5803TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -40V | |
| Type de Boitier | TSOP-6 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id -3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -40V | ||
Type de Boitier TSOP-6 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal P simple de -40 V dans un boîtier TSOP 6 (Micro 6). La famille de MOSFET IR utilise des procédés au silicium éprouvés, offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard de l'industrie pour faciliter la conception.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon -3.4 A -40 V TSOP-6 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 900 mA 150 V TSOP-6 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 600 mA 200 V Enrichissement TSOP HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 8.3 A 30 V Enrichissement, TSOP-6 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 3.4 A 20 V, PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 8.2 A 30 V Enrichissement TSOP HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 3.4 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET 2 canal Type P Infineon -3.4 A -55 V SOIC HEXFET Non