MOSFET canal N Infineon 49 A 20 V, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-9377
Référence fabricant:
IRFH6200TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

49A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

15mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

155nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRFH d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 20 V dans un boîtier PQFN 5 x 6. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente

Large portefeuille disponible

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