MOSFET Infineon, PG-TO 252-3 4,5 A 650 V

Le transistor MOSFET à super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V d'Infineon complète l'offre CoolMOS 7 pour les applications grand public. Le MOSFET de super jonction CoolMOS PFD7 dans un boîtier TO 252 DPAK est doté d'un RDS(on) de 2 000 mOhm pour de faibles pertes de commutation. Une diode à corps rapide mise en œuvre assure un dispositif robuste et, à son tour, réduit la facture de matériau pour le client. En outre, notre offre de boîtier CMS leader du secteur contribue à économiser de l'espace sur le circuit imprimé et simplifie la fabrication. Cette famille de produits est adaptée à une densité de puissance ultra-haute ainsi qu'à des conceptions à haut rendement. Les produits s'adressent principalement aux chargeurs à très haute densité, aux adaptateurs et aux entraînements de moteur à faible consommation.

Large gamme de valeurs RDS(on)
Excellente robustesse de commutation
Faible IEM
Large portefeuille de boîtiers
Réduction des coûts BOM et fabrication facile
Robustesse et fiabilité
Facile à sélectionner les pièces adaptées pour le réglage fin de la conception