MOSFET P Infineon -80 A -30 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-252 IPD AEC-Q101
- Code commande RS:
- 258-3864
- Référence fabricant:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3864
- Référence fabricant:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | PG-TO-252 | |
| Série | IPD | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -0.31V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 63nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier PG-TO-252 | ||
Série IPD | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -0.31V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 63nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor de puissance OptiMOS-P2 d'Infineon offre les pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique élevé. Boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.
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