MOSFET Infineon canal N, PG-HSOG-8 143 A 150 V, 8 broches

Les circuits MOSFET de puissance industrielle OptiMOS 5 d'Infineon en 80 V et 100 V sont conçus pour la rectification synchrone dans les applications d'alimentation de télécommunications et de serveurs, mais sont également le choix idéal pour d'autres applications telles que l'énergie solaire, les variateurs basse tension et l'adaptateur d'ordinateur portable. Avec un large portefeuille de boîtiers, cette famille de transistors MOSFET de puissance offre le RDS(on) le plus bas de l'industrie. L'un des principaux contributeurs à ce chiffre de mérite (FOM) leader de l'industrie est la faible résistance à l'état passant avec une valeur aussi faible que 2,7 mΩ dans le boîtier SuperSO8, fournissant le plus haut niveau de densité de puissance et d'efficacité.

Canal N, niveau normal
Très faible résistance à la mise sous tension RDS(on)
Résistance thermique supérieure
Testé à 100 % contre les avalanches
Placage de câble sans plomb