MOSFET canal N Infineon 331 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 273-2791
- Référence fabricant:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
5 614,00 €
HT
6 736,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,807 € | 5 614,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-2791
- Référence fabricant:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 331A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 331A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor MOSFET Infineon est un transistor MOSFET 80 V à canal N optimisé pour les applications alimentées par batterie. Il est qualifié conformément à la norme JEDEC pour les applications cibles. Ce MOSFET est entièrement qualifié selon le JEDEC pour les applications industrielles et sans halogène selon la norme IEC61249 2 21.
Conformité RoHS
Placage sans plomb
Excellente charge de grille
Très faible résistance à la mise sous tension
100 % testé contre les avalanches
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