Canal P P Infineon 1.9 A 60 V Enrichissement, 3 broches, PG-SOT223 ISP

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Code commande RS:
273-3041
Référence fabricant:
ISP26DP06NMSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

Canal P

Courant continu de Drain maximum Id

1.9A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-SOT223

Série

ISP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

260mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS, IEC61249-2-21

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal P d'Infineon au niveau normal et logique, réduisant la complexité de conception dans les applications à moyenne et faible consommation.

Interface facile au microcontrôleur

Commutation rapide

Robusteté avalanche

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