MOSFET canal N Infineon 3.6 A 650 V Enrichissement, 3 broches, PG-SOT223 IPN

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

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Code commande RS:
273-3015
Référence fabricant:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.6A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

PG-SOT223

Série

IPN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

6W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.6nC

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC Standard

Standard automobile

Non

Le MOSFET de super jonction MOS PFD7 à froid de 600 V d'Infineon complète l'offre MOS 7 à froid pour les applications grand public.

Réduction des coûts BOM et fabrication facile

Robustesse et fiabilité

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