MOSFET canal N Infineon 3.6 A 650 V Enrichissement, 3 broches, PG-SOT223 IPN
- Code commande RS:
- 273-3015
- Référence fabricant:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
729,00 €
HT
876,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 08 février 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,243 € | 729,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-3015
- Référence fabricant:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-SOT223 | |
| Série | IPN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 6W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC Standard | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-SOT223 | ||
Série IPN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 6W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC Standard | ||
Standard automobile Non | ||
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 3.6 A 650 V Enrichissement PG-SOT223 IPN
- MOSFET Infineon 7.6 A PG-SOT223 IPN
- Canal P P Infineon 1.9 A 60 V Enrichissement PG-SOT223 ISP
- MOSFET canal N Infineon 50 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 44 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 61 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 142 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- MOSFET canal N Infineon 196 A 650 V Enrichissement PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
