MOSFET canal N Infineon 3.6 A 650 V Enrichissement, 3 broches, PG-SOT223 IPN

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

6,23 €

HT

7,48 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 2 990 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,623 €6,23 €
50 - 900,524 €5,24 €
100 - 2400,49 €4,90 €
250 - 9900,478 €4,78 €
1000 +0,47 €4,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
273-3016
Référence fabricant:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.6A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

PG-SOT223

Série

IPN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

6W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC Standard

Standard automobile

Non

Le MOSFET de super jonction MOS PFD7 à froid de 600 V d'Infineon complète l'offre MOS 7 à froid pour les applications grand public.

Réduction des coûts BOM et fabrication facile

Robustesse et fiabilité

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.