MOSFET P Nexperia 300 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH201

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Code commande RS:
725-8348
Référence fabricant:
BSH201,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

300mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

BSH201

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

417mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Longueur

3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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