MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS C3
- Code commande RS:
- 753-3197
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-35-448
- Référence fabricant:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
4,21 €
HT
5,05 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 42 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 72 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,105 € | 4,21 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 753-3197
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-35-448
- Référence fabricant:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Série | CoolMOS C3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 63W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Série CoolMOS C3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 63W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Largeur 4.57mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.36mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
Transistors MOSFET, Infineon
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 17 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 2 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 7.3 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
