MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 CoolMOS C3
- Code commande RS:
- 911-0733
- Référence fabricant:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
50,45 €
HT
60,55 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 50 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,009 € | 50,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 911-0733
- Référence fabricant:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | CoolMOS C3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 63W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Largeur | 4.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série CoolMOS C3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 63W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.36mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Largeur 4.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 4 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 17 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 2 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 7.3 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 650 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3