MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 30 V, 3 broches

Code commande RS:: 754-5424
Référence fabricant:: IPB034N03LGATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 30 V, 3 broches

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Code commande RS:: 754-5424
Référence fabricant:: IPB034N03LGATMA1
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	80 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	4,7 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.2V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	94 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.45mm
Charge de Grille type @ Vgs	51 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	10.31mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Série	OptiMOS 3
Hauteur	4.57mm

MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 30 V, 3 broches

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