- Code commande RS:
- 761-2792
- Référence fabricant:
- STF26NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 20 A |
Tension Drain Source maximum | 600 V |
Série | MDmesh |
Type de boîtier | TO-220FP |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 165 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 35 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -25 V, +25 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Charge de Grille type @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Longueur | 10.4mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Largeur | 4.6mm |
Matériau du transistor | Si |
Hauteur | 16.4mm |
- Code commande RS:
- 761-2792
- Référence fabricant:
- STF26NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
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