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MOSFET canal N Infineon 42 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET

Code commande RS:: 830-3357
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-477
Référence fabricant:: IRLR2905TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 42 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET

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20 - 20	1,308 €	26,16 €
40 - 80	1,02 €	20,40 €
100 - 180	0,955 €	19,10 €
200 - 480	0,889 €	17,78 €
500 +	0,824 €	16,48 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 830-3357
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-477
Référence fabricant:: IRLR2905TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	42A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	40mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	48nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-16V, +16V
	Dissipation de puissance maximum Pd	110W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.22mm
	Hauteur	2.39mm
	Longueur	6.73mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 42A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Type de Boitier TO-252
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.3V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V
	Dissipation de puissance maximum Pd 110W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.22mm
	Hauteur 2.39mm
	Longueur 6.73mm
	Standard automobile Non

IRLR/U2905PbF, HEXFET Power MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

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