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    MOSFET Infineon canal N, , DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches

    Code commande RS:
    830-3357
    Référence fabricant:
    IRLR2905TRPBF
    Marque:
    Infineon
    Infineon
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    TTC

    UnitéPrix par unitéle paquet*
    20 - 801,336 €26,72 €
    100 - 3801,024 €20,48 €
    400 - 9800,974 €19,48 €
    1000 +0,714 €14,28 €
    *Prix donné à titre indicatif
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    830-3357
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    IRLR2905TRPBF
    Marque:
    Infineon

    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon


    La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.


    Transistors MOSFET, Infineon


    Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum42 A
    Tension Drain Source maximum55 V
    Type de boîtierDPAK (TO-252)
    Type de montageCMS
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum40 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille2V
    Tension de seuil minimale de la grille1V
    Dissipation de puissance maximum110 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-16 V, +16 V
    Largeur6.22mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Matériau du transistorSi
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    Longueur6.73mm
    Charge de Grille type @ Vgs48 nC @ 5 V
    Hauteur2.39mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
    SérieHEXFET
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