MOSFET Infineon canal N, , DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches

Code commande RS:: 830-3357
Référence fabricant:: IRLR2905TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, , DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches

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100 - 380	1,225 €	24,50 €
400 - 980	1,166 €	23,32 €
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Code commande RS:: 830-3357
Référence fabricant:: IRLR2905TRPBF
Marque:: Infineon

Documentation technique

IRLR/U2905PbF, HEXFET Power MOSFET

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 55 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	42 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	40 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	110 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-16 V, +16 V
Largeur	6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs	48 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	6.73mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Série	HEXFET
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.39mm