MOSFET canal N Infineon 100 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3

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906-4359
Référence fabricant:
BSC070N10NS3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

OptiMOS 3

Type de Boitier

TDSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

8.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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