Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum Nombre d'éléments par circuit
Code commande RS 919-4205
Référence fabricantSI2318CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,123 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 5,6 A 40 V SOT-23 CMS 3 51 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,1 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 751-4256
Référence fabricantDMP2305U-7
MarqueDiodesZetex
0,094 €
l'unité (par multiple de 100)
Unité
P 4,2 A 20 V SOT-23 CMS 3 113 mΩ Enrichissement 0.9V - 1.4 W Simple -8 V, +8 V 1
Code commande RS 787-9036
Référence fabricantSI2318CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,334 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 5,6 A 40 V SOT-23 CMS 3 51 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,1 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 165-4218
Référence fabricantVP2106N3-G
MarqueMicrochip
0,304 €
L'unité (en sachet de 1000)
Unité
P 250 mA 60 V TO-92 Traversant 3 15 Ω Enrichissement 3.5V - 1 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 671-0413
Référence fabricantFDN327N
0,29 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 2 A 20 V SOT-23 CMS 3 70 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V 1
Code commande RS 710-3238
Référence fabricantSI2301CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,281 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
P 2,3 A 20 V SOT-23 CMS 3 112 mΩ Enrichissement - 0.4V 860 mW Simple -8 V, +8 V 1
Code commande RS 879-3283
Référence fabricantVP2106N3-G
MarqueMicrochip
0,337 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
P 250 mA 60 V TO-92 Traversant 3 15 Ω Enrichissement 3.5V - 1 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 178-0817
Référence fabricantIRF9640PBF
MarqueVishay
1,183 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 178-0918
Référence fabricantIRLD024PBF
MarqueVishay
0,638 €
l'unité (en tube de 100)
Unité
N 2,5 A 60 V HVMDIP Traversant 4 100 mΩ Enrichissement - 1V 1,3 W Simple -10 V, +10 V 1
Code commande RS 907-5028
Référence fabricantIRF540NLPBF
MarqueInfineon
1,018 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 33 A 100 V I2PAK (TO-262) Traversant 3 44 mΩ Enrichissement - - 130 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 166-1716
Référence fabricantFDN5618P
0,104 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 1,25 A 60 V SOT-23 CMS 3 170 mΩ Enrichissement - 1V 500 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 145-8801
Référence fabricantBSS83PH6327XTSA1
MarqueInfineon
0,085 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 330 mA 60 V SOT-23 CMS 3 3 Ω Enrichissement 2V 1V 360 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 166-2480
Référence fabricantFDV302P
0,041 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 120 mA 25 V SOT-23 CMS 3 10 Ω Enrichissement - 0.65V 350 mW Simple +8 V 1
Code commande RS 124-8962
Référence fabricantIRFB3206PBF
MarqueInfineon
1,438 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 210 A 60 V TO-220AB Traversant 3 3 mΩ Enrichissement 4V 2V 300 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 871-4915
Référence fabricantMDF11N60BTH
MarqueMagnaChip
0,911 €
l'unité (en tube de 10)
Unité
N 11 A 660 V TO-220F Traversant 3 550 mΩ Enrichissement 5V - 49 W Simple -30 V, +30 V 1
Code commande RS 302-000
Référence fabricantIRLL014NPBF
MarqueInfineon
0,416 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 2,8 A 55 V SOT-223 CMS 3 + Tab 140 mΩ Enrichissement 2V 1V 2,1 W Simple -16 V, +16 V 1
Code commande RS 919-4738
Référence fabricantIRLL014NPBF
MarqueInfineon
0,396 €
l'unité (en tube de 80)
Unité
N 2,8 A 55 V SOT-223 CMS 3 + Tab 140 mΩ Enrichissement 2V 1V 2,1 W Simple -16 V, +16 V 1
Code commande RS 919-0938
Référence fabricantSUM110P06-07L-E3
MarqueVishay
2,158 €
l'unité (en bobine de 800)
Unité
P 110 A 60 V D2PAK (TO-263) CMS 3 7 mΩ Enrichissement - 1V 3,75 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 165-9832
Référence fabricantPSMN015-60PS,127
MarqueNexperia
0,391 €
l'unité (en bobine de 1000)
Unité
N 50 A 60 V TO-220AB Traversant 3 23,7 mΩ Enrichissement 4V 2V 86 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 809-0852
Référence fabricantFDC6401N
0,314 €
l'unité (en bande de 20)
Unité
N 3 A 20 V SOT-23 CMS 6 106 mΩ Enrichissement - 0.5V 960 mW Isolé -12 V, +12 V 2