Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 166-1855
Référence fabricantFQU13N06LTU
0,528 €
l'unité (en tube de 70)
Unité
N 11 A 60 V IPAK (TO-251) Traversant - 3 115 mΩ Enrichissement - 1V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 916-3879
Référence fabricantCAS120M12BM2
MarqueWolfspeed
367,60 €
la pièce
Unité
N 193 A 1200 V Demi-pont Montage panneau - 7 30 mΩ Enrichissement 2.6V 1.8V 925 W Série -10 V, +25 V
Code commande RS 725-9341
Référence fabricantIRLML0060TRPBF
MarqueInfineon
0,316 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 2.7 A 60 V SOT-23 CMS - 3 92 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 1250 mW Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 671-5339
Référence fabricantFQU13N06LTU
0,624 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 11 A 60 V IPAK (TO-251) Traversant - 3 115 mΩ Enrichissement - 1V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 166-3704
Référence fabricantFDC654P
0,132 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 3,6 A 30 V SOT-23 CMS - 6 125 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-0564
Référence fabricantFDS6375
0,71 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 8 A 20 V SOIC CMS - 8 24 mΩ Enrichissement - 0.4V 2,5 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 787-9042
Référence fabricantSI2319CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,408 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 4,4 A 40 V SOT-23 CMS - 3 108 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 809-0862
Référence fabricantFDC654P
0,331 €
l'unité (en bande de 20)
Unité
P 3,6 A 30 V SOT-23 CMS - 6 125 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 166-3629
Référence fabricantFDC855N
0,178 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 6,1 A 30 V SOT-23 CMS - 6 39 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-4494
Référence fabricantIXFN60N80P
MarqueIXYS
22,968 €
l'unité (en tube de 10)
Unité
N 53 A 800 V SOT-227B Montage panneau - 4 140 mΩ Enrichissement 5V - 1,04 kW Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 671-5064
Référence fabricantFQP27P06
1,23 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 27 A 60 V TO-220AB Traversant - 3 70 mΩ Enrichissement 4V 2V 120 W Simple -25 V, +25 V
Code commande RS 194-350
Référence fabricantIXFN60N80P
MarqueIXYS
25,23 €
la pièce
Unité
N 53 A 800 V SOT-227B Montage panneau - 4 140 mΩ Enrichissement 5V - 1,04 kW Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 809-0871
Référence fabricantFDC855N
0,444 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 6,1 A 30 V SOT-23 CMS - 6 39 mΩ Enrichissement - 1V 1,6 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 166-1803
Référence fabricantFDN335N
0,083 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 1,7 A 20 V SOT-23 CMS - 3 70 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 751-4177
Référence fabricantDMN3150L-7
MarqueDiodesZetex
0,266 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 3.8 A 30 V SOT-23 CMS - 3 112 mΩ Enrichissement 1.4V - 1.4 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 166-2541
Référence fabricantFDB2614
1,521 €
l'unité (en bobine de 800)
Unité
N 62 A 200 V D2PAK (TO-263) CMS - 3 27 mΩ Enrichissement - 3V 260 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 919-4731
Référence fabricantIRLML2402TRPBF
MarqueInfineon
0,087 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 1,2 A 20 V SOT-23 CMS - 3 250 mΩ Enrichissement 0.7V 0.7V 540 mW Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 178-4752
Référence fabricantFQP27P06
1,093 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
P 27 A 60 V TO-220AB Traversant - 3 70 mΩ Enrichissement 4V 2V 120 W Simple -25 V, +25 V
Code commande RS 919-4208
Référence fabricantSI2319CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,174 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 4,4 A 40 V SOT-23 CMS - 3 108 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,5 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 671-5076
Référence fabricantFQP2N60C
1,014 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 2 A 600 V TO-220AB Traversant - 3 4,7 Ω Enrichissement - 2V 54 W Simple -30 V, +30 V