Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 871-5038
Référence fabricantMMF60R360PTH
MarqueMagnaChip
1,88 €
l'unité (en tube de 5)
Unité
N 11 A 600 V TO-220F Traversant 3 - 360 mΩ Enrichissement 4V - 31 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 749-8259
Référence fabricantMTM232270LBF
MarquePanasonic
0,258 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 2 A 20 V SMini3-G1-B CMS - 3 110 mΩ Enrichissement 1.3V - 500 mW Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 177-7493
Référence fabricantSQM50P03-07_GE3
MarqueVishay
1,082 €
l'unité (en bobine de 800)
Unité
P 50 A 30 V D2PAK (TO-263) CMS - 3 11 mΩ Enrichissement - 1.5V 150 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 688-7002
Référence fabricantIRFP4368PBF
MarqueInfineon
5,78 €
la pièce
Unité
N 350 A 75 V TO-247AC Traversant 3 - 2 mΩ Enrichissement 4V 2V 520 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 819-3955
Référence fabricantSQM50P03-07_GE3
MarqueVishay
1,886 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 50 A 30 V D2PAK (TO-263) CMS - 3 11 mΩ Enrichissement - 1.5V 150 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 103-5067
Référence fabricantNTD24N06LT4G
0,281 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N 24 A 60 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 45 mΩ Enrichissement 2V - 62,5 W Simple -15 V, +15 V
Code commande RS 919-0036
Référence fabricantIRF9530PBF
MarqueVishay
1,002 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
P 12 A 100 V TO-220AB Traversant - 3 300 mΩ Enrichissement - 2V 88 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 815-2730
Référence fabricantIRFL9110TRPBF
MarqueVishay
0,546 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 690 mA 100 V SOT-223 CMS - 3 + Tab 1,2 Ω Enrichissement - 2V 3,1 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 170-3042
Référence fabricantMMF60R360PTH
MarqueMagnaChip
1,605 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 11 A 600 V TO-220F Traversant - 3 360 mΩ Enrichissement 4V - 31 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 166-2447
Référence fabricantFDS6679AZ
0,286 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
P 13 A 30 V SOIC CMS 8 - 9 mΩ Enrichissement - 1V 2,5 W Simple -25 V, +25 V
Code commande RS 165-6679
Référence fabricantSTD17NF25
0,744 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N 17 A 250 V DPAK (TO-252) CMS 3 - 165 mΩ Enrichissement 4V 2V 90 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 897-7406
Référence fabricantIPW60R099C6FKSA1
MarqueInfineon
5,40 €
l'unité (par multiple de 2)
Unité
N 38 A 650 V A-247 Traversant - 3 99 mΩ Enrichissement 3.5V 2.5V 278 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 748-1813
Référence fabricantAUIRFP2602
MarqueInfineon
2,94 €
la pièce
Unité
N 380 A 24 V TO-247AD Traversant 3 - 1,6 mΩ Enrichissement 4V 2V 380 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 145-9580
Référence fabricantIPP60R125CPXKSA1
MarqueInfineon
2,352 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 25 A 650 V A-220 Traversant - 3 120 mΩ Enrichissement 3.5V 2.5V 208 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 725-9347
Référence fabricantIRLML0040TRPBF
MarqueInfineon
0,323 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 3.6 A 40 V SOT-23 CMS 3 - 56 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 1300 mW Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 823-1820
Référence fabricantZVN3310A
MarqueDiodesZetex
0,604 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 200 mA 100 V TO-92 Traversant - 3 10 Ω Enrichissement 2.4V - 625 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 826-9462
Référence fabricantIPB042N03LGATMA1
MarqueInfineon
1,164 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 70 A 30 V D2PAK (TO-263) CMS 3 - 4,2 mΩ Enrichissement 2.2V 1V 79 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 825-9250
Référence fabricantBSC160N10NS3GATMA1
MarqueInfineon
0,777 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 42 A 100 V TDSON CMS 8 - 33 mΩ Enrichissement 3.5V 2V 60 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 110-7109
Référence fabricantBSC265N10LSFGATMA1
MarqueInfineon
0,82 €
l'unité (en bande de 20)
Unité
N 40 A 100 V PG-TDSON CMS 8 - 36 mΩ Enrichissement 2.4V 1.2V 78 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 920-0789
Référence fabricantIXFN64N50P
MarqueIXYS
16,525 €
l'unité (en tube de 10)
Unité
N 61 A 500 V SOT-227B Montage panneau 4 - 85 mΩ Enrichissement 5.5V - 700 W Simple -30 V, +30 V