MOSFET de puissance 1 canal Type P Simple Vishay -0.4 A 200 V, 4 broches, HVMDIP Non
- Code commande RS:
- 180-8628
- Référence fabricant:
- IRFD9210PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8628
- Référence fabricant:
- IRFD9210PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -0.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | HVMDIP | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC | |
| Hauteur | 8.38mm | |
| Longueur | 10.79mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -0.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier HVMDIP | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC | ||
Hauteur 8.38mm | ||
Longueur 10.79mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le Vishay IRFD9210 est un transistor MOSFET de puissance à canal P avec une tension de drain à source (Vds) de -200 V. Il est doté d'un boîtier HVMDIP. Il offre une résistance de drain à source (RDS.) 3 ohms à 10 VGS.
Puissance nominale dV/dt dynamique
Résistance aux avalanches répétitives
Pour l'insertion automatique
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