Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil, Infineon 35.1 dB,16 broches 2700 MHz TSNP-16
- Code commande RS:
- 349-416
- Référence fabricant:
- BGAP2D20AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,21 € |
| 10 - 99 | 4,69 € |
| 100 - 499 | 4,32 € |
| 500 - 999 | 4,01 € |
| 1000 + | 3,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-416
- Référence fabricant:
- BGAP2D20AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | |
| Technologie | BiCMOS | |
| Gain | 35.1dB | |
| Type de Boitier | TSNP-16 | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.75V | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Facteur de bruit | 4.7dB | |
| Interception de troisième ordre OIP3 | 34.3dBm | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 115°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Hauteur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | ||
Technologie BiCMOS | ||
Gain 35.1dB | ||
Type de Boitier TSNP-16 | ||
Tension d'alimentation minimum 4.75V | ||
Nombre de broches 16 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Facteur de bruit 4.7dB | ||
Interception de troisième ordre OIP3 34.3dBm | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 115°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Hauteur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
L'amplificateur pilote basse bande Infineon de 2,3 à 2,7 GHz peut être utilisé comme pré-pilote ou pilote dans les applications RF, des stations de base 5G MIMO majeures aux cellules et aux points d'accès mineurs. L'amplificateur pilote est généralement placé entre le circuit intégré de l'émetteur-récepteur et l'amplificateur de puissance, mais il peut également être utilisé comme amplificateur de puissance pour les applications à faible puissance. L'entrée est différentielle de 100 Ω, la sortie est asymétrique de 50 Ω.
Entrée différentielle de 100 Ω
Tension d'alimentation : 5 V
Boîtier sans plomb TSNP 16
Technologie BiCMOS
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