Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil, Infineon 35.2 dB,16 broches 4200MHz TSNP-16
- Code commande RS:
- 349-417
- Référence fabricant:
- BGAP2D30AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-417
- Référence fabricant:
- BGAP2D30AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | |
| Technologie | BiCMOS | |
| Gain | 35.2dB | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.75V | |
| Type de Boitier | TSNP-16 | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Interception de troisième ordre OIP3 | 34.5dBm | |
| Facteur de bruit | 4.5dB | |
| Température d'utilisation maximum | 115°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Hauteur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | ||
Technologie BiCMOS | ||
Gain 35.2dB | ||
Tension d'alimentation minimum 4.75V | ||
Type de Boitier TSNP-16 | ||
Nombre de broches 16 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Interception de troisième ordre OIP3 34.5dBm | ||
Facteur de bruit 4.5dB | ||
Température d'utilisation maximum 115°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Hauteur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
L'amplificateur pilote moyenne bande Infineon de 3,3 à 4,2 GHz peut être utilisé comme pré-pilote ou pilote dans les applications RF, des stations de base 5G MIMO majeures aux cellules et aux points d'accès mineurs. L'amplificateur pilote est généralement placé entre le circuit intégré de l'émetteur-récepteur et l'amplificateur de puissance, mais il peut également être utilisé comme amplificateur de puissance pour les applications à faible puissance.
Technologie BiCMOS pour des performances optimisées
Gain et puissance élevés pour moins de composants en ligne
Adaptation interne et sauvegarde des composants de l'adaptation externe
Facilité de conception et faible encombrement
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