Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil, Infineon 34.8 dB,16 broches 2700MHz TSNP-16
- Code commande RS:
- 349-418
- Référence fabricant:
- BGAP2S20AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,17 € |
| 10 - 99 | 4,67 € |
| 100 - 499 | 4,28 € |
| 500 - 999 | 3,98 € |
| 1000 + | 3,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-418
- Référence fabricant:
- BGAP2S20AE6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | |
| Technologie | BiCMOS | |
| Gain | 34.8dB | |
| Type de Boitier | TSNP-16 | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.75V | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Interception de troisième ordre OIP3 | 34.2dBm | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Facteur de bruit | 4.3dB | |
| Température d'utilisation maximum | 115°C | |
| Normes/homologations | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| Hauteur | 8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Préamplificateur pour applications d'infrastructure sans fil | ||
Technologie BiCMOS | ||
Gain 34.8dB | ||
Type de Boitier TSNP-16 | ||
Tension d'alimentation minimum 4.75V | ||
Nombre de broches 16 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Interception de troisième ordre OIP3 34.2dBm | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Facteur de bruit 4.3dB | ||
Température d'utilisation maximum 115°C | ||
Normes/homologations JEDEC47/20/22, RoHS | ||
Hauteur 8mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
L'amplificateur pilote basse bande Infineon de 2,3 à 2,7 GHz peut être utilisé comme pré-pilote ou pilote dans les applications RF, des stations de base 5G MIMO majeures aux cellules et aux points d'accès mineurs. L'amplificateur pilote est généralement placé entre le circuit intégré de l'émetteur-récepteur et l'amplificateur de puissance, mais il peut également être utilisé comme amplificateur de puissance pour les applications à faible puissance. L'entrée et les sorties sont asymétriques et adaptées en interne à 50 Ω.
Technologie BiCMOS pour des performances optimisées
Gain et puissance élevés pour moins de composants en ligne
Adaptation interne et sauvegarde des composants de l'adaptation externe
Facilité de conception et faible encombrement
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