IGBT, IKP06N60TXKSA1, , 6 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 110-7169
- Référence fabricant:
- IKP06N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,291 € | 12,91 € |
| 50 - 90 | 1,226 € | 12,26 € |
| 100 - 240 | 1,174 € | 11,74 € |
| 250 - 490 | 1,123 € | 11,23 € |
| 500 + | 1,045 € | 10,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 110-7169
- Référence fabricant:
- IKP06N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 6 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 88 W | |
| Type de boîtier | A-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Capacité de grille | 368pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Indice énergétique | 0.335mJ | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 6 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 88 W | ||
Type de boîtier A-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Capacité de grille 368pF | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Indice énergétique 0.335mJ | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
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Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
