IGBT Infineon, canal Type N, 12 A, 600 V, 3 broches , TO-220, montage En surface
- Code commande RS:
- 273-2958
- Référence fabricant:
- IGP06N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
33,95 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,679 € | 33,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-2958
- Référence fabricant:
- IGP06N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 12A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.05V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Série | TrenchStop | |
| Longueur | 15.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 12A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.05V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Série TrenchStop | ||
Longueur 15.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
L'IGBT3 d'Infineon dans un boîtier TO220 amène à une amélioration significative des performances statiques et dynamiques du dispositif, grâce à la combinaison du concept de cellule de tranchée et de terrain. La combinaison d'IGBT avec une diode Fu contrôlée par un émetteur de récupération souple
Haute robustesse et comportement stable à la température
Fiabilité élevée de l'appareil
Distribution de paramètres très étroite
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