IGBT, HGT1S10N120BNST, , 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 124-1406
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
4 054,40 €
HT
4 865,60 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 5,068 € | 4 054,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1406
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 298 W | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 298 W | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.67 x 11.33 x 4.83mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
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