IGBT, HGT1S10N120BNST, , 80 A, 1200 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 807-6660
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,21 € | 10,42 € |
| 20 - 198 | 4,49 € | 8,98 € |
| 200 + | 3,89 € | 7,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 807-6660
- Référence fabricant:
- HGT1S10N120BNST
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 298 W | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.67 x 11.33 x 4.83mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 298 W | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.67 x 11.33 x 4.83mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
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Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.