IGBT Non onsemiCanal-Type N, 35 A, 1200 V 1 MHz, 3 broches, TO-263 Surface

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Code commande RS:
807-6660
Référence fabricant:
HGT1S10N120BNST
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

35A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

298W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.45V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

NPT

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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