FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 2 Mo, 256K x 8 bits 16 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, DFN
- Code commande RS:
- 124-2989
- Référence fabricant:
- FM25V20A-DG
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 20,72 € |
| 10 - 24 | 18,25 € |
| 25 - 99 | 17,76 € |
| 100 - 499 | 17,30 € |
| 500 + | 16,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-2989
- Référence fabricant:
- FM25V20A-DG
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 2Mo | |
| Configuration | 256K x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 16ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4mm | |
| Longueur | 4.5mm | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de mots | 256K | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 2V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 2Mo | ||
Configuration 256K x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 16ns | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de Boitier DFN | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4mm | ||
Longueur 4.5mm | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de mots 256K | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension d'alimentation minimum 2V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.