FRAM AEC-Q100, Série SPI Infineon, 512 ko, 64K x 8 125 °C 80 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-5328
- Référence fabricant:
- FM25V05-GTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
28 645,00 €
HT
34 375,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 11,458 € | 28 645,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5328
- Référence fabricant:
- FM25V05-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 512ko | |
| Configuration | 64K x 8 | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Température minimum de fonctionnemen | 80°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 512ko | ||
Configuration 64K x 8 | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Température minimum de fonctionnemen 80°C | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 512 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Interface périphérique série très rapide
Schéma de protection en écriture sophistiqué
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