MOSFET canal N Infineon 44 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
- Code commande RS:
- 284-724
- Référence fabricant:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 284-724
- Référence fabricant:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 44A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 203W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 44A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 203W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V G1 d'Infineon présente la technologie avancée en carbure de silicium, méticuleusement conçue pour des performances et une fiabilité élevées dans les applications exigeantes. Profitant de plus de deux décennies d'optimisation, ce transistor MOSFET offre une efficacité et une facilité d'utilisation exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour diverses implémentations, y compris les inverseurs solaires et les systèmes de charge de véhicules électriques. Ses caractéristiques robustes garantissent un fonctionnement fiable dans les environnements à températures élevées, ouvrant la voie à des conceptions d'alimentation plus compactes et efficaces. Doté d'une diode de corps rapide et d'une fiabilité supérieure de l'oxyde de grille, ce produit se distingue dans sa catégorie en offrant un équilibre unique entre performance et convivialité. Parfait pour les ingénieurs qui aspirent à l'excellence dans les circuits d'alimentation, ce transistor MOSFET incarne l'innovation et la fiabilité, établissant une nouvelle référence dans l'industrie.
Optimisé pour les commutations à courant élevé
Capacité d'avalanche améliorée pour plus de robustesse
Compatible avec les pilotes standard pour plus de flexibilité
La configuration de la source Kelvin réduit les pertes de commutation
Haute performance et fiabilité combinées
Idéal pour une commutation dure et continue
La conception compacte améliore la densité de puissance
Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC
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