MOSFET canal N Infineon 273 A 100 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-934
- Référence fabricant:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
10 860,00 €
HT
13 030,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 septembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,172 € | 10 860,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-934
- Référence fabricant:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 273A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PG-TTFN-9 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.05mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 273A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PG-TTFN-9 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.05mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5 qui représente une avancée significative dans la technologie MOSFET conçue pour les applications industrielles exigeantes. Ce transistor robuste est conçu pour fournir des performances exceptionnelles avec une gestion thermique supérieure, ce qui en fait un choix idéal pour les systèmes nécessitant une conversion et une gestion d'énergie efficaces. Avec une tension nominale de 100V et une faible résistance à l'enclenchement impressionnante, ce produit offre des capacités de traitement de puissance améliorées tout en maintenant de faibles pertes d'énergie. La fiabilité de ses performances est également étayée par une validation approfondie, garantissant une fonctionnalité assurée dans diverses conditions opérationnelles.
Conception de canaux N pour une commutation efficace
La faible résistance à l'enclenchement minimise la perte de puissance
Une résistance thermique exceptionnelle prolonge la durée de vie
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Conformité RoHS pour le respect de l'environnement
Matériau sans halogène pour les normes environnementales
Fiabilité dans les environnements à haute température
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 273 A 100 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 445 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 610 A 40 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 447 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 637 A 40 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 151 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 323 A 80 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS