MOSFET canal N Infineon 151 A 60 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS

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Code commande RS:
284-950
Référence fabricant:
IQE022N06LM5CGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

151A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-TTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

2.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

100W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance hautes performances conçu pour les applications exigeantes de gestion de l'alimentation. Il présente la technologie OptiMOS 5 avancée, optimisée pour la rectification synchrone dans les alimentations à découpage. La conception innovante garantit une très faible résistance d'activation, offrant des caractéristiques thermiques supérieures qui améliorent la fiabilité et l'efficacité. Ce produit, d'une valeur nominale de 60 V, est particulièrement adapté aux applications industrielles grâce à ses tests d'avalanche robustes et à sa conformité aux normes RoHS. Grâce à sa conception de canal N de niveau logique, il simplifie l'intégration dans votre circuit tout en conservant des performances opérationnelles exceptionnelles.

Optimisé pour une conversion d'énergie à haut rendement

Canal N de niveau logique pour une interface facile

fiabilité testée à 100 % en avalanche

Conforme à la directive RoHS pour une plus grande sécurité environnementale

Sans halogène et prenant en charge les normes de durabilité

Validation JEDEC pour les applications industrielles

La gestion thermique supérieure prolonge la durée de vie

Courant de drain continu élevé pour les charges exigeantes

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